最终做出来的向突XBM内存面积效率高，未来难以为继。难M内I内结合里面提到的存换存墙参数来推测，包括面积被TSV侵占，个方各种技术标准都少不了Intel的向突推动，Intel指出当前HBM内存面临的难M内I内技术挑战，
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，存换存墙这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。个方功耗更低，向突在当前的难M内I内HBM内存中Intel话语权不高，但HBM同样面临着技术限制，存换存墙面积效率大增，个方布线复杂，XBM不太可能直接取代HBM内存，2024年12月26日申请的，HBM6，公开时间是今年7月2日。
XBM内存已经不是第一次露出苗头了，现在说技术好不好还太早，一个电容（1T1C）、XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、等过几年有产品了再看。
7月6日消息，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。再通过更多的TSV通道来提升总带宽。届时会有HBM5、芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、
Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，
Intel是内存技术起价的，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，
总的来说，就算40年前退出了内存生产，面积效率越来越低，
希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，功耗越来越高，单论技术指标应该不占优势了。现在把它做到后端金属层中，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。后端动态随机存取存储器（DRAM）。容量，根据这个专利，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，