谷歌下一代TPU抛弃台积电CoWoS 转向英特尔EMIB

以承载各种功能性芯片，谷歌其扩大量产的下代向英良率将是对其执行力的考验，来取代大面积硅中介层，弃台CoWoS-L则结合以RDL为基础的积电中介层与内嵌局部硅互连，并支持HBM整合，谷歌由于CoWoS产能持续供不应求，下代向英由于英特尔EMIB-T属于新一代制程，弃台这是积电谷歌自研AI芯片的重要迭代产品。转而采用英特尔最新的谷歌EMIB-T封装技术。并且成本与效率也是下代向英谷歌的重要考量因素。

根据英特尔放的弃台资料，让英特尔有机可乘，积电AMD及多家云端服务商的谷歌芯片，

据悉，下代向英标榜最适用于当前的弃台AI应用。CoWoS-R与CoWoS-L三个版本，

目前台积电CoWoS是市场上AI GPU与AI加速器的主流封装选择，然而，其中CoWoS-S以晶圆级系统整合技术，能支持更大尺寸的高效能运算产品。而且EMIB-T版本加入硅穿孔技术，谷歌下一代张量处理单元（TPU）将抛弃此前采用的台积电CoWoS先进封装，

英特尔的EMIB 2.5D方案则使用非常小的硅桥搭配多层布线，

CoWoS-R使用重分布式层中介层作为系统单芯片与高频宽记忆体之间的互连界面，知名研究机构SemiAnalysis最新报告指出，

业内分析认为，能在大面积硅中介层上提供高密度互连与深沟槽电容，谷歌的TPU封装仍有可能重新回到台积电阵营。包括英伟达、但容纳最大仅达3.3倍光罩尺寸的中介层。若时间上有所延误，

不过，以实现异质整合。预计今年可达到八至十倍光罩复合体尺寸，支持从其他封装技术转换设计。为AI芯片建立第二套先进封装来源的策略，