捅破AI存储天花板！闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存：1Tb容量+4.8Gb/s

其二是捅破天花间距选择栅极漏极技术，实现了超过29Gb/mm²的存储出层业界领先存储密度。再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。板闪

技术层面，容量

性能方面，捅破天花位密度提升59%，存储出层BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、板闪输出功耗降低34%。迪铠

能效表现方面，侠联将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，手推闪存该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，容量

7月3日消息，捅破天花这两项技术的成熟与迭代，其一是CMOS直接键合到阵列技术，通过优化存储单元的排列布局来提升密度。第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。首款产品为1Tb TLC型号，

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，较BiCS8提升了33%。闪迪与铠侠联合宣布，采用332层堆叠设计。为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，写入能效提升18%，读取能效提升30%。

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。SCA协议及PI-LTT低功耗技术。推理及大规模云工作负载设计。输入功耗较BiCS8降低10%，专为AI训练、

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，