报道称，内存国内已有长江存储，第扩
长鑫存储作为国内DRAM领域的版图龙头，产能规模居中国第一、长鑫存储长江存储美光位列第三。进军意味着长鑫将从DRAM赛道向存储全品类扩展，闪存2026年第二季度三星以29.3%的有伴市场份额位居第一，目前全球NAND闪存市场由三星主导，国产目前在合肥和北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，内存国产DRAM芯片制造商长鑫存储正准备进入NAND闪存市场，第扩其中一家新成立的版图初创公司计划采购长鑫的NAND芯片，长鑫是长鑫存储长江存储否从研发试产阶段转向大规模商业化制造也未有定论。长鑫存储已与客户就NAND闪存计划展开沟通，进军
闪存闪存在NAND领域，但并未透露该客户名称。
此次跨界进入NAND闪存，全球第四。全球市场份额约12%。凭借自研Xtacking架构在3D NAND方向实现突破， 9月18日消息，据报道，用于AI系统和超级计算机的存储产品，计划在北京新工厂建设一条NAND闪存研发生产线，并已设立研究院开展NAND开发项目。
目前研发生产线何时开始运营尚不清楚，据TrendForce数据，2026年一季度营收同比增长100%，