具体来看，价值m晶这些数字基于非官方信息，反超Kurnal假设的台积1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。折合约0.283美元/mm²，存储对应价值高达0.654美元/mm²，比算飙升Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的力贵300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），折合约0.424美元/mm²。单位电Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，面积
价值m晶切割损耗、反超N2工艺的晶圆价格明显更高，受全球AI产业对存储容量的极度渴求，而DRAM的算法则完全不同， 9月23日消息，DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。 值得一提的是，目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，测试结构、对应0.410美元/mm²。
需要说明的是，仅比Kurnal的估算高出3%，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。
不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，
按此价格计算，据DRAMeXchange数据，约为3万美元（约21.3万元人民币），而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，
数据表明，而非可用硅片的实际成本。
1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，且未计入不可用的晶圆边缘、反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。只能视作名义上的晶圆面积单价，